| 芯片封裝生產工藝流程簡介: |
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- 芯片:為外購的合格芯片。
- 磨劃片:首先將藍膜貼在芯片的正面,目的是保護圓片正面的芯片防止擦傷、沾污等。接著利用全自動磨片機對芯片的背面進行研磨處理,使芯片厚度達到要求。磨片后將藍膜揭除。然后在芯片的背面貼一層藍膜,目的是將芯片固定從而可以進行劃片,并在劃片后分成每顆芯片時不會脫落,以便于下道裝片工序。接著利用全自動劃片機將晶片分離成單個芯片。在磨劃片過程中會產生熱量,因此需要用純水進行冷卻,同時在磨劃時芯片表面會產生細小微粒,需要用高純水設備產生高純水進行清洗。
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| 電子級高純水設備工藝流程: |
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| 電子級高純水設備工藝介紹: |
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| 原水→原水箱→增壓泵→石英砂過濾器→活性炭過濾器→阻垢劑加藥系統/還原劑加藥系統→保安過濾器→中間水箱→高壓泵1→反滲透裝置1→中間水箱→PH調節裝置→高壓泵2→反滲透裝置2→純水箱→輸送泵→精密過濾器→EDI電除鹽系統→EDI高純水箱→輸送泵→拋光混床→TOC去除器→精密過濾器→用水點 |
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| 注:本系統采用反滲透+EDI處理工藝,主要有四個部分組成,預處理系統、二級反滲透主機系統、EDI電除鹽系統、拋光混床系統; |
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| 原水采用自來水通過增壓泵增壓進入石英砂過濾器、活性炭過濾器,去除水中的懸浮物、膠體、有機物及余氯,配套有絮凝劑加藥系統和阻垢劑加藥系統,可有效降低水中渾濁度,防止反滲透膜的結垢,提高反滲透膜的使用壽命; |
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| 二級反滲透系統采用美國陶氏反滲透膜技術,自動制膜技術有效保證每支膜的水處理性能。一級反滲透采用BW30-400型號的反滲透膜,該膜具有脫鹽率較高、操作壓力較小,抗污染性能,膜的脫鹽率可以達到99.7%;二級反滲透膜采用BW30-365系列膜,該膜廣泛使用二級反滲透系統中。二級反滲透出水水質電導率可以達到4微西門子以下; |
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| EDI電除鹽系統采用西門子模塊,EDI作為綠色脫鹽模式,具有以下優點:占地面積省、運行成本低、系統設計簡單、水質穩定、安裝維修簡便、綠色環保,不需要酸堿再生、可實現連續生產。EDI出水電阻率可以達到15~17兆歐; |
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| 拋光混床系統采用上海樹脂廠和羅門哈斯合資品牌拋光核級樹脂,拋光混床作為制取超純水的核心部件,經處理后出水可以達到18兆歐以上,滿足微電子行業用水要求; |
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| 技術參數總表(以15t/h高純水設備為例) |
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